EP

Avantajul tranzistorului IGBT fata de tranzistorul MOS este: (6)

Pentru o dioda semiconductoare de putere stratul p slab dopat are rolul: (7) (8)

La acelasi unghi de comanda, puterea reactiva absorita de un redresor semicomandat estefata de cazul unui redresor complet comandat: (3)

.Prin controlul de faza, factorul de forma al tensiunii redresate este: (1)

Caderea de tensiune datorata comutatiei: (4)

.La un tranzistor MOS tensiunea vDS este fata de tensiunea vCE de la tranzistorul bipolar: (1) (4)

Pentru un redresor trifazat cu punct median daca notam cu Id valoarea medie a curentului prin sarcina atunci valoarea medie a curentului printr-o faza a secundarului transformatorului vafi: (7)

Pentru un redresor trifazat in punte, daca notam cu Us valoarea efectiva a tensiunii de alimentare pe faza,atunci valoarea de varf a tensiunii inverse la bornele diodei va fi: (8)

Pentru redresorul monofazat monoalternanta necomandat, functionand cu sarcina RE scaderea valorii rezistentei: (2

Tiristoarele cu conductie in invers (RCT) sunt dispozitive semiconductoare: (5) (2)

Rolul filtrului de tip L de la iesirea redresorului este de a reduce: (9)

Avantajul tranzistorului IGBT fata de tranzistorul MOS este: (6) (10)

Clasificarea tiristoarelor, in tiristoare normale si tiristoare rapide se face in functie de: (9) (4)

Pentru un tiristor, reactia interna de curent, poate fi initiata daca prin acesta trece uncurent : (7) (10)

Pentru dioda, limitarea supratensiunii de comutatie inversa se face cu ajutorul: (5) (8)

Factorul de amplificare in curent pentru tranzistorul Darlington este aproximativ: (1) (3)

Pentru un tranzistor bipolar de putere, trecerea de la prima strapungere (reversibila) la ceade-a doua (ireversibila) se produce daca: (3) (9)

Pentru un tiristor, zona de amorsare probabila este:

Un redresor comandat consuma fata de un redresor necomandat: (5)

Cauza fenomenului de „rasturnare” a invertorului poate fi: (10)