MCEMI EXAMEN 2

A detailed illustration of semiconductor physics and MOSFET technology, showing graphs, electronic components, and theoretical concepts in a visually engaging style.

MCEMI EXAMEN 2: Test de Cunoștințe în Electronica Semiconductoarelor

Acest quiz este destinat tuturor celor care doresc să-și testeze cunoștințele în domeniul electronicii semiconductoarelor, în special în ceea ce privește tranzistorii MOSFET și circuitul echivalent. Este un instrument excelent pentru studiu și revizuire înainte de examene.

10 întrebări atent formulate
Verifică concepte esențiale și teorii avansate
Ideal pentru studenți, profesori și profesioniști din domeniu

10 Questions2 MinutesCreated by TestingTurtle95

La ce valoare a căderii de tensiune pe rezistența serie se obține un prag de current de la care contează efectul acestei rezistențe în cazul unui dispozitiv redresor?

A) ¾ din tensiunea termică

B) ½ din tensiunea termică

C) Egală cu tensiunea termică

D) Dispozitivul redresor nu prezintă rezistență serie

În cazul dependenței sarcinii din semiconductor de potențialul suprafeței acestuia, pentru zona de inversie puternică, se poate afirma despre comportamentul graficului că:

Crește liniar

Este constant

Are o creștere exponențială

Scade liniar

Modelul Ihantola-Moll este un model din seria celor care s-au ocupat de tranzistorul MOSFET:

În regimul de inversie puternică

În regimul de inversie slabă

În regimul liniar

Modelul Ihantola-Moll este un model corespunzător tranzistorului Bipolar

Tranzistorul MOSFET a fost conceput și, ulterior, a fost înțeles ca un rezistor variabil de suprafață controlat prin:

Potențialul de drenă

Tensiunea de poartă

Curentul de drenă

Potențialul de sursă

Modelul EKV este destinat simulării și proiectării:

Circuitelor digitale

Circuitelor analogice de tensiune înaltă și putere mare

Circuitelor analogice de tensiune joasă și curent mic

Circuitelor analogice de înaltă frecvență și tensiune înaltă

În circuitul echivalent de semnal mare al tranzistorului MOSFET, se regăsesc:

Capacitățile joncțiunilor sursă-substrat și drenă-substrat precum și capacitățile de suprapunere a porții peste sursă, respectiv drenă

Doar capacitățile de suprapunere a porții peste sursă, respectiv drenă

Doar capacitățile corespunzătoare joncțiunilor sursă-substrat și drenă-substrat

Modelul echivalent de semnal mare nu conține capacități

Circuitul echivalent de semnal mic al capacitorului MOS cuprinde:

Capacitatea oxidului de poartă

Capacitatea stratului golit de la suprafață precum și capacitatea oxidului de poartă

Capacitatea asociată sarcinii din stratul de inversie și capacitatea oxidului de poartă

Capacitatea oxidului de poartă, capacitatea stratului golit de la suprafață precum și capacitatea asociată sarcinii din stratul de inversie

Limitarea cresterii regiunii golite (xd) in raport cu cresterea tensiunii de poarta VG este un fenomen specific:

Regimului de inversie puternica

Regimul de inversie slaba

Fenomenul are loc atat in inversia puternica cat si in inversia slaba

Regimul de acumulare

Pragul de curent de la care conteaza efectul rezistentei serie corespunde unei caderi de tensiune pe rezistenta serie egala cu:

Tensiunea terminca

Dublul tensiunii termince

Jumatate din tensiunea termica

1√2∗𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑢𝑛𝑒𝑎 𝑡𝑒𝑟𝑚𝑖𝑝𝑎

Relatia dintre concentratiile de goluri si de electroni este:

P(x)*n(x)=ni

P(x)*n(x)=ni^2

[p(x)*n(x)]^2=ni

Н��(𝑥)𝑛(𝑥)=𝑛i

MCEMI EXAMEN 2

MCEMI EXAMEN 2: Test de Cunoștințe în Electronica Semiconductoarelor

More Quizzes