Elektronika 2

Prąd: Wybierz wszystkie poprawne:

A. Unoszenia polega na przemieszczeniu nośników (elektronów lub dziur) na skutek występowania gradientu ich koncentracji

B. Dyfuzji polega na przemieszczeniu nośników (elektronów lub dziur) w polu elektrycznym

C. dyfuzji I unoszenia (wartość natężenia tych prądów) zależy od ruchliwości elektronów I dziur

D. Dyfuzji polega na przemieszczeniu nośników (elektronów lub dziur) na skutek występowania gradientu ich koncentracji

E. Unoszenia polega na przemieszczeniu nośników (elektronów lub dziur) w polu elektrycznym

Oświetlenie diody ze złączem p-n falą o energii Efot : Wybierz wszystkie poprawne:

A. Powoduje wzrost fotoprądu jeśli E fot > E g (gdzie Eg to szer. Przerwy wzbronionej)

B. może powodować wzrost temperatury diody

C. Powoduje wzrost fotoprądu jeśli E fot < E g (gdzie Eg szer. Przerwy wzbronionej)

D. Powoduje powstanie siły elektromotorycznej w niespolaryzowanym zewnętrznie złączu jeśli E > E (gdzie E to szer. Przerwy wzbronionej

E. Powoduje powstanie siły elektromotorycznej w niespolaryzowanym zewnętrznie złączu jeśli Efot < Eg (gdzie Eg to szer. Przerwy wzbronionej)

Typowo w układach stabilizatorów wykorzystuje się: Wybierz wszystkie poprawne:

W rzeczywistym złączu p-n:(proszę o weryfikacje)

A. Rezystancja szeregowa powoduje zmniejszenie spadku napięcia na zaciskach diody przy stałej wartości natężenia prądu płynącego przez diodę

B. nośniki generowane w warstwie zaporowej powodują wzrost nateżenia prądu płynącego przez diodę

C. Nie występuje rekombinacja nośników w warstwie zaporowej

D. Rezystancja szeregowa powoduje wzrost spadku napięcia na zaciskach diody przy stałej wartości natężenia prądu płynącego przez diodę

E. nośniki generowane w warstwie zaporowej powodują spadek natężenia prądu płynącego przez diodę

W warstwie zubożonej złącza p-n: Wybierz wszystkie poprawne:

A. znajdują się dodatnio naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu p

B. występuje pole elektryczne pochodzące od zjonizowanych domieszek

C. znajdują się ujemnie naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu p

D. znajdują się ujemnie naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu n

E. znajdują się dodatnio naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu n 

W układzie prostownika przedstawionego na rysunku, amplituda tętnień uT na rezystorze RL :(są trzy poprawne zaznaczona tylko jedna)

A. rośnie ze wzrostem amplitudy Uac dla ustalonych wartości Rs , Rl I Cs

B. Ut maleje ze wzrostem Cs

C. Ut maleje ze wzrostem Rl

D. Ut rośnie ze wzrostem Rl

E. Ut rośnie ze wzrostem Cs

W spolaryzowanym w kierunku przewodzenia idealnym złączu p-n: Wybierz wszystkie poprawne:

A. wyższy potencjał przykładany jest do obszaru typu p

B. płynie głównie prąd unoszenia nośników mniejszościowych

C. wyższy potencjał przykładany jest do obszaru typu n

D. Zmniejsza się szerokość przerwy energetycznej

E. płynie głównie prąd dyfuzji nośników większościowych

Współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego w układzie WE: Wybierz wszystkie poprawne: (są trzy poprawne zaznaczona jedna)

W tranzystorze bipolarnym stanie aktywnym normalnym:

A. Złącze E-B polaryzowane jest zaporowo

B. Złącze E-B polaryzowane jest w kier. przewodzenia

C. Złącze E-C polaryzowane jest zaporowo

D. Złącze B-C polaryzowane jest zaporowo

E. Złącze B-C polaryzowane jest w kier. przewodzenia

Zaznacz prawidłowe definicje parametrów wzmocnienia napięciowego K , prądowego K , mocy K wyrażanych wdecybelach dB:

Zaznacz prawidłową polaryzację tranzystora w układzie z rysunku, tak aby zaczął przewodzić prąd między źródłem I drenem:

Na poniższym rysunku przedstawiono symbol:

A. tranzystora MOSFET z kanałem wzbogacanym (EMOSFET)

B. tranzystora JFET

C. tranzystora MOSFET z kanałem zubażanym (DMOSFET)

D. Tranzystora z kanałem typu n

E. Tranzystora z kanałem typu p

Na rysunku przedstawiono charakterystykę:

Dla tranzystorów unipolarnych różniczkowe parametry małosygnałowe transkonduktancji gm I konduktancji wyjściowej gds definiuje się jako:

Na poniższym rysunku przedstawiono symbol:

W układzie generatora relaksacyjnego:

A. Stosuje się tranzystor jednozłączowy

B. Stosuje się triaki

C. częstotliwość generacji zależy od stałej czasowej obwodu RC

D. częstotliwość generacji zależy od stałej czasowej obwodu LC

E. Stosuje się tyrystor

Jeżeli Vb2 = 20 V, Vb1 = 10 V to tranzystor może przewodzić prąd między E I B1 jeśli:(Tu prosiłbym o weryfikacje)

Triak:

A. posiada NIEsymetryczną charakterystykę I-U

B. Samodzielnie może być stosowany w obwodach sterowania fazowego o wypełnieniu 40%

C. Posiada symetryczną charakterystykę I-U

D. załączany jest impulsem bramki

E. załączany jest po przekroczeniu napięcia przebicia

Tyrystor:

A. Posiada symetryczną charakterystykę I-U

B. posiada NIEsymetryczną charakterystykę I-U

C. załączany jest impulsem bramki

D. Samodzielnie może być stosowany w obwodach sterowania fazowego o wypełnieniu 40%

E. załączany jest po przekroczeniu napięcia przebicia

Dynamiczna moc strat układów cyfrowych zależy od:

A. Konstrukcji wewnętrznej

B. Rezystancji podłączonej do wyjścia układu cyfr.

C. napięcia zasilania

D. Od częstotliwości przełączania

E. ilości bramek podłączonych do wyjścia układu cyfr.

Wzrost temperatury półprzewodnika:

A. Powoduje wzrost koncentracji samoistnej ni

B. Powoduje spadek koncentracji samoistnej ni

C. Zmniejsza napięcie Zenera przebicia tunelowego złącza

D. Powoduje spadek szerokości przerwy energetycznej Eg

E. Powoduje wzrost szerokości przerwy energetycznej Eg

Napięcie dyfuzyjne złącza Ud :

A. rośnie ze wzrostem przerwy energetycznej Eg półprzewodnika

B. rośnie ze wzrostem koncentracji samoistnej ni półprzewodnika

C. Maleje ze wzrostem przerwy energetycznej Eg półprzewodnika

D. zależy od stopnia domieszkowania półprzewodnika

E. Maleje ze wzrostem koncentracji samoistnej ni półprzewodnika

Przebicie złącza p-n:

A. występuje przy charakterystycznym dla złącza napięciu Zenera dla polaryzacji w kierunku przewodzenia

B. Spowodowane jest zjawiskiem tunelowania elektronów przez złącze w słabo domieszkowanych złączach

C. Spowodowane jest zjawiskiem tunelowania elektronów przez złącze w silnie domieszkowanych złączach

D. Spowodowane jest zjawiskiem powielania lawinowego w silnie domieszkowanych złączach

E. Spowodowane jest zjawiskiem powielania lawinowego w słabo domieszkowanych złączach

W spolaryzowanym w kierunku zaporowym idealnym złączu p-n:

A. wyższy potencjał przykładany jest do obszaru typu p

B. Zmniejsza się szerokość przerwy energetycznej

C. płynie głównie prąd unoszenia nośników mniejszościowych

D. płynie głównie prąd dyfuzji nośników większościowych

E. wyższy potencjał przykładany jest do obszaru typu n

W warstwie zubożonej złącza p-n:

A. znajdują się dodatnio naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu n

B. znajdują się ujemnie naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu n

C. znajdują się ujemnie naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu p

D. występuje pole elektryczne pochodzące od zjonizowanych domieszek

E. znajdują się dodatnio naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu p

W układzie prostownika przedstawionego na rysunku, amplituda tętnień ut na rezystorze Rl :

A. rośnie ze wzrostem amplitudy uac dla ustalonych wartości Rs , Rl I Cs

B. Ut rośnie ze wzrostem Rl

C. Ut maleje ze wzrostem Rl

D. Ut maleje ze wzrostem Cs

E. Ut rośnie ze wzrostem Cs

Dla tranzystora bipolarnego pracującego w układzie WB parametr h11 :(Tu prosiłbym o weryfikacje)

Współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego w układzie WE:

Zaznacz prawidłowe definicje parametrów wzmocnienia napięciowego KudB , prądowego KidB , mocy KpdB wyrażanych wdecybelach dB:

W modelu zastępczym małosygnałowym tranzystora bipolarnego w układzie WE:

A. Parametr h21 oznacza wzmocnienie mocy

B. Parametr h21 oznacza rezystancję wyjściową

C. Parametr h21 oznacza wzmocnienie napięciowe

D. Parametr h21 oznacza rezystancję wejściową

E. Parametr h21 oznacza wzmocnienie prądowe

Na poniższym rysunku przedstawiono symbol:

W układzie generatora relaksacyjnego:

A. Stosuje się tyrystor

B. Stosuje się tranzystor jednozłączowy

C. częstotliwość generacji zależy od stałej czasowej obwodu LC

D. Stosuje się triaki

E. częstotliwość generacji zależy od stałej czasowej obwodu RC

Układy CMOSFET:

A. składają się z dwu tranzystorów NMOSFET

B. składają się z tranzystorów IGBT, MOSFET I JFET

C. składają się z pary tranzystorów NJFET I PJFET

D. składają się z dwu tranzystorów PMOSFET

E. składają się z pary tranzystorów NMOSFET I PMOSFET

Elektronika 2

More Quizzes