Elektronika

Pojemność zastępcza kondensatorów połączonych SZEREGOWO jest równa:

Cz = C1 + C2

1/Cz = 1/C1 + 1/C2

Pojemność zastępcza kondensatorów połączonych RÓWNOLEGLE jest równa:

Cz = C1 + C2

1/Cz = 1/C1 + 1/C2

Wybierz wszystkie poprawne:

Ma stałą czasową T = R/C

Ma stałączasową T = R*C

Stanowi obwód filtra górnoprzepustowego

Stanowi obwód filtra środkowoprzepustowego

Stanowi obwód filtra dolnoprzepustowego

Pojemność kondensatora płaskiego:

Zależy od przenikalności dielektrycznej ośrodka którym jest wypełniony

Zależy od natężenia prądu płynącego w obwodzie

Zależy od wymiarów geometrycznych

Wynika z ilości ładunku zgromadzonego na jego okładkach przy zadanym napięciu

Zmniejsza się wraz ze zmniejszaniem odległości między okładkami

Wybierz wszystkie poprawne:

Charakterystykę N będącą charakterystyką zastępczą połączenia szeregowego elementów N1 I N2

Charakterystykę elementu N2 posiadającego zakres ujemnej rezystancji statycznej

Charakterystykę elementu N posiadającego zakres ujemnej rezystancji dynamicznej

Charakterystykę N będącą charakterystyką zastępczą połączenia równoległego elementów N1 I N2

Charakterystykę elementu N1 posiadającego zakres ujemnej rezystancji statycznej

Transformator:

Działa dzięki sprzężeniu dwóch cewek w polu magnetycznym

O przekładni 1:2 służy do podnoszenia napięcia

Działa dzięki sprzężeniu dwóch kondensatorów w polu magnetycznym

O przekładni 1:2 służy do obniżania napięcia

Służy do izolacji galwanicznej obwodu wejściowego I wyjściowego

Wybierz wszystkie poprawne:

Charakterystykę N będącą charakterystyką zastępczą połączenia równoległego elementów N1 I N2

Charakterystykę N będącą charakterystyką zastępczą połączenia szeregowego elementów N1 I N2

Charakterystykę elementu N1 posiadającego zakres ujemnej rezystancji dynamicznej

Charakterystykę elementu N posiadającego zakres ujemnej rezystancji dynamicznej

Charakterystykę elementu N2 posiadającego zakres ujemnej rezystancji dynamicznej

Konduktywność metali:

Maleje ze wzrostem temperatury

Nie jest zależna od temperatury

Modulowana jest drganiami termicznymi atomów w sieci krystalicznej

Rośnie ze wzrostem temperatury

Zależy od ruchliwości elektronów I dziur występujących w metalu

Rezystancja statyczna:

Elementów nieliniowych zależy od punktu pracy

Definiowana jest wzorem R = dU/dI

Jest równa rezystancji dynamicznej rezystora liniowego

Definiowana jest wzorem R = U/I

Ma zawsze wartość dodatnią

Zwrot strzałki prądu:

Jest przeciwny do zwrotu przemieszczania się elektronów

Jest zgodny ze zwrotem przemieszczania się elektronów

Jest zgodny ze zwrotem przemieszczania się dziur

W elementach biernych jest przeciwny do zwrotu strzałki napięcia

Jest przeciwny do zwrotu przemieszczania się dziur

Rezystancja zastępcza połączenia szeregowego rezystorów:

Jest sumą rezystywności poszczególnych rezystorów

Jest sumą rezystancji poszczególnych rezystorów

Jest sumą odwrotności rezystancji poszczególnych rezystorów

Jest sumą konduktancji poszczególnych rezystorów

Jest sumą odwrotności konduktancji poszczególnych rezystorów

Rezystancja R przewodu wykonanego z materiału o konduktywności y, długości l I stałym przekroju poprzecznym:

Konduktancja zastępcza połączenia równoległego rezystorów:

Jest sumą odwrotności rezystancji poszczególnych rezystorów

Jest sumą konduktancji poszczególnych rezystorów

Jest sumą rezystywności poszczególnych rezystorów

Jest sumą rezystancji poszczególnych rezystorów

Jest sumą odwrotności konduktancji poszczególnych rezystorów

Wzory opisujące indukcyjność zastępczą Lzas:

Wzór B jest prawdziwy dla połączenia SZEREGOWEGO cewek L1 I L2

Wzór B jest prawdziwy dla połączenia RÓWNOLEGŁEGO cewek L1 I L2

Wzór A jest prawdziwy dla połączenia SZEREGOWEGO cewek L1 I L2

Oba wzory są błędne

Wzór A jest prawdziwy dla połączenia RÓWNOLEGŁEGO cewek L1 I L2

Domieszkowanie krzemu:

Donorami polega na wprowadzaniu do sieci krystalicznej krzemu atomów z III grupy układu okresowego

Może być prowadzone przez jednoczesne wprowadzanie domieszki donorowej I akceptorowej

Akceptorami polega na wprowadzaniu do sieci krystalicznej krzemu atomów z III grupy układu okresowego

Akceptorami polega na wprowadzaniu do sieci krystalicznej atomów z V grupy układu okresowego

Donorami polega na wprowadzaniu do sieci krystalicznej atomów z V grupy układu okresowego

Konduktywność półprzewodnika:

Zależy od koncentracji nośników swobodnych

Zależy od ruchliwości elektronów I dziur

Rośnie przy wzroście temperatury

Zależy od szerokości przerwy energetycznej Eg

Spada przy wzroście temperatury

Wiązania kowalencyjne:

Mogą zostać zerwane skutkując powstaniem elektronu swobodnego

Polegają na wymianie protonów między jądrami sąsiadujących atomów

Polegają na przekazaniu elektronu walencyjnego atomu innym atomom

Polegają na uwspólnieniu elektronów znajdujących się na powłoce walencyjnej z sąsiednimi atomami

Są rodzajem wiązań chemicznych występujących w półprzewodnikach

Przerwa zabroniona półprzewodników:

Określa minimalną wartość energii koniecznej do zaabsorbowania przez elekton aby mógł opuścić sieć krystaliczną (materiał)

Zależy od składu materiału półprzewodnikowego

Określa minimalną wartość energii koniecznej do zaabsorbowania przez elektron aby mógł opuścić wiązanie kowalencyjne

Oddziela pasmo przewodzenia od poziomu próżni

Oddziela pasmo walencyjne od pasma przewodzenia

Generacja par elektron-dziura:

Może nastąpić poprzez absorpcję fotonu

Polega na przejściu elektronu z pasma przewodzenia do pasma walencyjnego

Może nastąpić poprzez dostarczenie ciepła

Może nastąpić poprzez zderzenie elektronów (jonizację)

Polega na przejściu dziury z pasma przewodzenia do pasma walencyjnego

Domieszkowanie:

Może powodować pojawienie się dodatkowych poziomów energetycznych w przerwie energetycznej półprzewodnika

Określa koncentrację nośników w temperaturze 0K

Może być realizowane poprzez naświetlanie półprzewodnika

Donorami powoduje wzrost koncentracji dziur po dostarczeniu energii jonizacji

Polega na podstawieniu atomów krzemu atomami pierwiastków z III lub V grupy układu okresowego

Elektrony w atomie:

Są związane oddziaływaniem elektrostatycznym z dodatnio naładowanym jądrem atomowym

Posiadają ładunek dodatni

Mogą znajdować się tylko w określonym stanie kwantowym (posiadać skwantowaną energię)

Znajdują się w rdzeniu atomu

Znajdują się na powłokach elektronowych

Wybierz wszystkie poprawne:

W półprzewodniku typu n nośnikami większościowymi są dziury

W półprzewodniku typu n nośnikami większościowymi są elektrony

W półprzewodniku samoistnym nośnikami większościowymi są elektrony

W półprzewodniku typu n nośnikami mniejszościowymi są elektrony

W półprzewodniku typu n nośnikami mniejszościowymi są dziury

Rezystancja dynamiczna:

Elementów nieliniowych zależy od punktu pracy

Ma zawsze wartość dodatnią

Definiowana jest wzorem Rd = dU/dI

Definiowana jest wzorem Rd = U/I

Jest równa rezystancji statycznej rezystora liniowego

Dla prądu stałego:

Cewka jest traktowana jako rozwarcie obwodu

Kondensator jest traktowany jako rozwarcie obwodu

Cewka indukcyjna jest traktowana jako zwarcie obwodu

Reaktancja cewki jest równa 0

Kondensator jest traktowany jako zwarcie obwodu

Wybierz wszystkie poprawne:

A. Stanowi obwód filtra górnoprzepustowego

B. Stanowi obwód filtra środkowoprzepustowego

Ma stałą czasową T = R*C

Ma stałą czasową T = R/C

D. Stanowi obwód filtra dolnoprzepustowego

Prąd:

Unoszenia polega na przemieszczeniu nośników (elektronów lub dziur) na skutek występowania gradientu ich koncentracji

Dyfuzji polega na przemieszczeniu nośników (elektronów lub dziur) w polu elektrycznym

Dyfuzji I unoszenia (wartość natężenia tych prądów) zależy od ruchliwości elektronów I dziur

Dyfuzji polega na przemieszczeniu nośników (elektronów lub dziur) na skutek występowania gradientu ich koncentracji

Unoszenia polega na przemieszczeniu nośników (elektronów lub dziur) w polu elektrycznym

Koncentracja samoistna nośników ni:

Maleje ze wzrostem temperatury

Maleje ze wzrostem szerokości przerwy energetycznej

Rośnie ze wzrostem temperatury

Określa ilość elektronów I dziur w półprzewodniku samoistnym w stanie równowagi termodynamicznej

Rośnie ze wzrostem szerokości przerwy energetycznej

Elektronika

More Quizzes