Ele

A detailed infographic illustrating the various types of amplifiers, transistors, and their configurations in a colorful and informative style.

Amplifier and Transistor Knowledge Quiz

Test your knowledge of amplifiers and bipolar transistors with this engaging quiz! Dive deep into the fundamentals of feedback systems, transistor configurations, and semiconductor properties.

Multiple choice questions
Covers essential electronics concepts
Ideal for students and enthusiasts

13 Questions3 MinutesCreated by WiringWizard202

Jakiego sprzężenia zwrotnego nie stosujemy w układach wzmacniaczy m. cz:

Ujemnego równoległego-prądowego

Szeregowego - napięciowego dodatniego

Szeregowego - prądowego ujemnego

W którym układzie sprzężenia zwrotnego poprawie ulegają parametry impedancyjne wzmacniacza jako całości:

Szeregowo-napięciowe

Równolegle - napięciowe

Szeregowo-prądowe

W przypadku budowy wzmacniacza ze sprzężeniem zwrotnym, parametry układu jako całości opisane mogą być jednym prawidłowym zdaniem:

USZ zmniejsza wzmocnienie układu, zwiększa zniekształcenia nieliniowe, zmniejsza zniekształcenia liniowe

Zniekształcenia liniowe nie są związane z parametrami czwórnika sprzęgającego tylko zależą wyłącznie od parametrów wzmacniacza

W układzie z silnym USZ parametry wzmacniacza jako całości nie zależą od parametrów wzmacniacza pierwotnego

Analogicznie dla tranzytora bipolarnego, pracującego w układach WE, WB, WC, tranzystor J FET pracować może w układach pracy:

WS,WG,WD

WD, WS, WG

WG,WS,WD

Z charakterystyki częstotliwościowej możemy wyznaczyć następujący parametr:

Wzmocnienie napięciowe I impedancje wyjściową

Zniekształcenia liniowe I pasmo częstotliwości

Zniekształcenia liniowe I wzmocnienie prądowe

Potencjały elektrod tranzystora bipolarnego npn w stanie aktywnym muszą spełniać następujące zależności:

Vb>Vc>Ve

Vc>Ve>Vb

Vc>Vb>Ve

Potencjały elektrod tranzystora bipolarnego pnp w stanie aktywnym muszą spełniać następujące zależności:

Vb>Vc>Ve

Vc>Vb>Ve

Ve>Vb>Vc

Jaki parametr odczytamy z charakterystyki przejściowej dla tranzystora pracującego w układzie WE:

Rezystancję dynamiczną przy Uce=const

Wzmocnienie napięciowe przy Ube=const

Wzmocnienie prądowe przy Uce=const

W stanie nasycenia dla tranzystora krzemowego w układzie WE napięcie na ........??.... Przyjmuje wartośc:

0,7V

0,4 V

0,2 V

Która z wymienionych diod jest wykorzystywana w układach wysokoczęstotliwościowych?

Dioda prostownicza

Dioda zenera

Dioda pojemnościowa

Jaki zestaw parametrów diody nalezy wziąć pod uwage przede wszystkim przy projektowaniu układu prostownika?

Moc admisyjną diody, maksymalne napięcie wsteczne, maksymalny prąd w kierunku przewodzenia

Współczynnik temperaturowy złącza, maksymalne napięcie w kierunku przewodzenia, pojemność złączową

Maksymalny prąd przewodzenia, napięcie progowe w kierunku przewodzenia, pojemność złączową

Jakie domieszki do krzemu zmieniają go na półprzewodnik typu p:

Donorowe:fosfor, bor, antymon

Akceptorowe: bor, glin, gal

Akceptorowe: arsem, bizmut, fosfor

Nośniki większościowe w półprzewodnikach typu n to:

Elektrony

Dziury

Nie występują gdyż jest to przewodnik niesamoistny

Amplifier and Transistor Knowledge Quiz

More Surveys