EXAMEN MCEMI 3

A detailed and colorful illustration of a MOS capacitor and semiconductor junction, showing operational principles and characteristics in an educational and engaging style.

MCEMI 3 Capacitor Exam

Test your knowledge on MOS capacitors and semiconductor junctions with our MCEMI 3 quiz! This quiz is designed for students and professionals in the field of electronics.

10 challenging multiple-choice questions
Focus on MOS capacitor operation and junction theories
Improve your understanding of semiconductor physics

10 Questions2 MinutesCreated by ExploringTech42

Regimurile de functionare ale capacitorului MOS sunt:

Acumulare, golire, inversie

Blocare, inversie, saturatie

Golire, acumulare, saturatie

Blocare, golire, inversie

Diferența între caracteristicile unui capacitor ideal și ale unuia real este:

Diferența de potențial de contact

Translația cu marimea 2· VFB

Translația cu marimea 1/2· VFB

Translația cu marimea VFB

Problema nivelul de injecție este specifică:

Joncțiunilor pn asimetrice

Joncțiunilor pn polarizate direct

Joncțiunilor pn polarizate invers

Stratul de inversie format la suprafața semiconductorului între sursă și drenă , pentru un potential pe poartă superior tensiunii de prag (VG>VT) se numește:

Regiune golită

Regiune spațială

Canal

Substrat

Sărăcirea de purtători a canalului către drenă determină:

Creșterea curentului de drenă

Creșterea rezistenței canalului

Scaderea rezistenței canalului

Dispariția canalului

Aproximația graduală este valabilă pentru:

Regim de blocare

Canal scurt

Regim de saturație

Regim liniar

Modelulu Ihantola-Moll se caracterizează astfel:

Potențialul de suprafață al unui capacitor MOS în inversie puternică rămâne practic constant în raport cu tensiunea de pe poartă

Aproximația de golire,

Mobilitatea purtătorilor în canal este constantă

Existența stratului de sarcină mobilă în inversie slabă

Modelul Merckel-Borel-Cupcea porneste de la:

Expresia generală a curentului de drenă

Expresia sarcinii de volum

Expresia curentului total în canal

Expresia concentrației de electroni

Curentul de drenă are o ușoara creștere în raport cu tensiunea aplicată pe drenă, în cazul în care:

Lungimea canalui este constantă

Nu există canal

Lungimea canalului se scurtează

Lungimea canalului crește

Mobilitatea de suprafață descrie:

Mișcarea golurilor în stratul de inversie

Mișcarea electronilor în stratul de inversie. Adică la suprafața semiconductorului

Rețeaua cristalină specifică suprafeței semiconductorului

Deplasarea electronilor către suprafață

EXAMEN MCEMI 3

MCEMI 3 Capacitor Exam

More Quizzes